Daten zur Person*
Dr. Sergei Dvoretskiy
Zur persönlichen Website
| Adresse: |
Russian Academy of Sciences Siberian Branch Rzhanov Institute of Semicomductor Physics av. Lavrent'eva, 13 630090 Novosibirsk Russland |
|---|---|
| Fachgebiet: | Physik |
| Spezialgebiet: | Solid State Physics |
| *letzte der Stiftung bekannte Adresse |
Projekte
| Projekttitel | Bewilligungsdatum |
|---|---|
| Terahertz optoelectronics in novel low-dimensional narrow gap semiconductor nanostructures | 06.12.2019 |
| Opto-electronic and transport phenomena in narrow gap semiconductor structures for terahertz detection | 29.02.2016 |